INDÚSTRIA DE PLACAS DE CPU

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A fabricação de qualquer tipo de produto inicia-se com a matéria prima, e com os processadores não seria diferente. Um dos materiais mais empregados na fabricação de transistores e circuitos integrados (chips) é o silício, material extremamente abundante em nosso planeta, sendo possível extrai-lo da areia, granito, argila, casca de arroz etc. O silício é classificado como material semicondutor, ou seja, mediante certas circunstâncias, conduz eletricidade. Quando o silício é “misturado” a outros elementos de forma conveniente (processo conhecido como “dopagem”) ele bloqueia ou permite a passagem de corrente elétrica, possibilitando que se controle sua circulação e intensidade.

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2. DESENVOLVIMENTO

A) Tarefa 1

Setor I: Obtenção do silício

O silício (latim: silex, sílex ou "pedra dura") é um elemento químico de símbolo Si de número atômico 14 (14 prótons e 14 elétrons) com massa atómica igual a 28 u. À temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido. Foi descoberto por Jöns Jacob Berzelius, em 1823. O silício é o segundo elemento mais abundante da face da terra, perfazendo 25.7% do seu peso. Aparece na argila, feldspato, granito, quartzo e areia, normalmente na forma de dióxido de silício (também conhecido como sílica) e silicatos (compostos contendo silício, oxigênio e metais). O silício é o principal componente do vidro, cimento, cerâmica, da maioria dos componentes semicondutores e dos silicones, que são substâncias plásticas muitas vezes confundidas com o silício.

Suas propriedades são intermediárias entre as do carbono e o germânio. Na forma cristalina é muito duro e pouco solúvel, apresentando um brilho metálico e uma coloração grisácea. É um elemento relativamente inerte e resistente à ação da maioria dos ácidos; reage com os halogênios e álcalis. O silício transmite mais de 95% dos comprimentos de onda das radiações infravermelhas.

O silício comercial é obtido a partir da sílica de alta pureza em fornos de arco elétrico reduzindo o óxido com eletrodos de carbono numa temperatura superior a 1900 °C:

O silício líquido se acumula no fundo do forno onde é extraído e resfriado. O silício produzido por este processo é denominado metalúrgico apresentando um grau de pureza superior a 99%. Para a construção de dispositivos semicondutores é necessário um silício de maior pureza, silício ultrapuro, que pode ser obtido por métodos físicos e químicos.

Setor II: Fabricação dos wafers

O wafer é o principal elemento usado na fabricação dos chips. O wafer “virgem” é feito de silício puro, que é extraído da areia da praia. O wafer é criado através de um método chamado Czochralski, onde um pedaço de cristal de silício é colocado em uma vareta e então mergulhado em silício derretido. A vareta é suspensa e girada ao mesmo tempo, formando um grande cilindro de cristal de silício, também conhecido como lingote (ou “ingot”, em inglês).

O lingote resultante deste processo mede de um a dois metros de comprimento e pode ter até 300 mm de diâmetro (é daí que vem termos como “wafer de 300 mm”). O lingote é então “fatiado” em wafers. Esses wafers são polidos e enviados para a fabricação do chip. Em cima deste wafer “virgem” é que os chips serão fabricados. Uma pergunta muito comum é porque o wafer é redondo e não quadrado. A resposta é simples: como no processo Czochralski o lingote é criado suspendendo e girando o silício derretido, a forma natural para o cristal de silício resultante deste processo é redonda, não quadrada.

Setor III: Inserção das propriedades elétricas básicas

As propriedades básicas dos terminais do conector podem ser divididas em três categorias: as propriedades mecânicas, propriedades elétricas e desempenho ambiental. Outras propriedades mecânicas importantes são a vida mecânica do conector. Vida mecânica é na verdade uns indicadores de durabilidade (durabilidade). Ele é noivo, é separado em um loop, para participar de um predeterminado, depois que os terminais de conector de laço de separação normalmente podem completar sua conectividade (por exemplo, o valor de resistência de contato) como base para avaliação.

Propriedades mecânicas na conectividade, a força de inserção é importante para as propriedades mecânicas. Conecte com força de inserção e retirada force (força de tração, conhecida como força de separação), os dois requisitos são diferentes. Há padrões da força máxima de inserção e uma força de separação mínima predeterminada, que indica que, do ponto de uso vista, menor força de inserção (LIF desse modo não baixa força de inserção e força de inserção ZIF nenhuma estrutura), enquanto, se a força de separação é muito pequena, vai afetar a confiabilidade do contato. Força de inserção do conector e vida mecânica entre em contato com a estrutura (tamanho da pressão positiva) entrar em contato com as peças de qualidade do revestimento (coeficiente de atrito de deslizamento) e a precisão dimensional de arranjo de contato (graus alinhados) relacionados.

O desempenho elétrico desempenho elétrico principal dos terminais do conector incluem resistência de contato, resistência de isolação e rigidez dielétrica.

Resistência de contato de conectores elétricos de alta qualidade deve ter uma resistência de contato baixa e estável. Resistência de alguns centavos para dezenas de contato do conector milliohms gama. Medir a resistência de isolamento das métricas de desempenho de isolamento entre os contatos do conector elétrico e o membro de contato e da habitação, da ordem de várias centenas a vários milhares megohns megohm gama.

Disse dielétrico força ou resistência, tensão, média tensão, a tolerância é a capacidade de caracterizar o conector entre contatos ou contatos com o compartimento da tensão de teste, outras propriedades elétricas. Atenuação de escapamento EMI interferência eletromagnética blindagem eficácia avaliação do conector de atenuação de escapamento EMI interferência eletromagnética blindagem eficácia avaliação conector, geralmente na faixa de frequência de 100MHz ~ teste de 10GHz. Terminais de Conector coaxial de RF em causa, que há a impedância característica, perda de inserção, coeficiente de reflexão, relação de tensão onda estacionária (VSWR)