A Memoria Interna

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1.1 Logica do Chip

Para memórias de semicondutores, um dos aspectos fundamentais é a quantidade de dados que pode ser lido ou escrito por vez. Em um extremo está uma organização em que o arranjo físico da células no array é o mesmo que o arranjo lógico de palavras na memória. A matriz está organizada em X palavras B bits cada.

Chip -> 16Mb pode ser estruturado de M palavras de 16 bits.

A DRAM 16Mb. Eles descreveram ou ler quatro bits de cada vez. A matriz é estrutura de quatro matrizes quadrados 8048x2048x2048 elementos. Os elementos de uma matriz conectam tanto a linhas horizontais como verticais. Cada linha horizontal conecta ao terminal Select de cada célula em sua linha; cada fileira vertical se conecta ao terminal Data-In/Sense de cada célula em sua coluna.

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Para entrada (escrever) cada linha bit é ativado um ou zero de acordo com o valor da linha de dados correspondente. Para a saída (leitura) o valor de cada linha de bits é transmitida através de um amplificador de leitura apresentado na linha de dados correspondente. A linha selecionada fileira, enfileira de celulas que é usado para leitura ou escrita.

Na figura é de apenas 11 linhas de endereço (A0-A10). Os sinais são passados por uma logica de seleção externa ao chip e multiplexadas em 11 linhas de endereço. Estes sinais são acompanhados de endereço da linha de seleção (RAS) e de seleção de endereço da coluna (c) para permitir o clock. Os terminais entrada e de saída permitem (OE) determinar se uma gravação ou leitura é realizada.

A figura ilustra o circuito de refresh. Todos as DRAM exigem operações de refresh. O chip DRAM é desativado enquanto todas as células esfriar. Os dados correspondentes são lidos e escritos novamente nas mesmas posições.

2. MEMÓRIA ROM

As memórias ROM (Read-Only Memory - Memória Somente de Leitura) recebem esse nome porque os dados são gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas informações não podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador, exceto por meio de procedimentos especiais. 7

Outra característica das memórias ROM é que elas são do tipo não voláteis, isto é, os dados gravados não são perdidos na ausência de energia elétrica ao dispositivo. A seguir veremos os tipos de memória rom.

2.1. PROM

(Programmable Read-Only Memory): esse é um dos primeiros tipos de memória ROM. A gravação de dados neste tipo é realizada por meio de aparelhos que trabalham através de uma reação física com elementos elétricos. Circuitos PROM possuem uma matriz de colunas e linhas como as ROMs. A diferença reside no fato de que cada intersecção de coluna e linha em um circuito PROM possui um fusível ligando-as. Uma carga enviada pela coluna passará pelo fusível em uma célula para uma linha aterrada, indicando o valor 1. Desde que todas as células tenham um fusível, o estado inicial (vazio) de um chip de PROM é todo 1. Para alterar o valor de todas as células para 0, usamos um programador para enviar uma quantidade específica de corrente para a célula. A tensão mais alta quebra a conexão entre a coluna e a linha, queimando o fusível. Esse processo é conhecido como queimar uma PROM. Os circuitos PROMs só podem ser programados uma vez. Eles são mais frágeis do que os ROMs. Uma faísca de eletricidade estática pode facilmente causar a queima do fusível em uma PROM, mudando bits essenciais de 1 para 0. Mas PROMs virgens são baratas, sendo boas para a modelagem de dados em uma ROM antes de se envolver com o dispendioso processo de fabricação.

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2.2. EPROM

Uma EPROM, ou erasable programmable read-only memory, é um tipo de dispositivo de memória de computador não-volátil , isto é, mantém seus dados quando a energia é desligada. Uma EPROM é programada por um dispositivo eletrônico que fornece tensões maiores do que as usadas normalmente na alimentação do dispositivo. 8

Uma vez programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 microns). EPROMs são facilmente reconhecíveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silício pode ser visto (Fig.6), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento. O processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos. Uma EPROM programada mantém seus dados por aproximadamente dez a vinte anos e pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a revisão da BIOS, e um aviso de copyright. Para se programar uma EPROM, é necessário utilizar um equipamento conhecido como Programador, que são encontrados em empresas epecializadas ou pode-se fazer um programador do tipo caseiro.

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2.3. EEPROM

EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.

Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes individuais) sem necessidade de reprogramção total.Este fato faz com que as alterações sejam efetuadas pelo próprio sistema no qual a memória esteja inserida. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.0 e 1 milhão. A memória flash é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash.

As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um transístor de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um.[pic 4]

2.5 Flash

A Memória Flash é uma memória de computador do tipo EEPROM que permite que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Trata-se de um dispositivo reprogramável