Laboratório de Dispositivos Eletrônicos

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A partir dos valores de tensão determinados para as entradas A e B, montamos a tabela 1, apresentada abaixo:

[pic 5]

Tabela 1

Observando os resultados encontrados na Tabela 1 e considerando a Tensão 4.968V = 5V, assim como a tensão 0.040V = 0V, podemos concluir que de acordo com a tabela este circuito apresenta um comportamento semelhante a porta Lógica NAND.

Dando sequência ao experimento 1, montamos o circuito apresentado de acordo com a figura 4.

[pic 6]

Figura 4

A partir dos valores de tensão determinados para as entradas A e B, montamos a tabela 2, apresentada abaixo:

[pic 7]

Tabela 2

Observando os resultados encontrados na Tabela 2 e considerando a Tensão acima de 4.968V = 5V, assim como a tensão 0.573V = 0V, podemos concluir que de acordo com a tabela este circuito apresenta um comportamento semelhante a porta Lógica NOR.

2° Experimento: Transistor operando na região Linear.

[pic 8]

Figura 5

Primeiramente realizamos a montagem do circuito de acordo com apresentado na figura 5. Após este passo utilizando um potenciômetro variamos sua resistência afim de observar com o auxilio do voltímetro a tensão em Vo, onde a mesma vai de 4.968V região linear até 0.003V.

Ajustando o potenciômetro para que o transistor passe a operar na região linear, ou seja Vo= 2.5V, em seguida medimos Vbe = 0.655V. Em seguida retiramos cuidadosamente o potenciômetro do circuito e com auxilio de um Multímetro medimos sua resistência, a resistência encontrada foi 373 Ω.

Sabendo que a equação da reta de carga do circuito é :

[pic 9]

Substituindo os valores encontrados, obtemos: Ic = 6.62mA

Em seguida calculamos a corrente de base, para tal utilizamos a seguinte expressão:

[pic 10]

Realizando algumas substituições, obtemos: Ib = 9.18uA

Afim de determinar o valor de β, dividimos Ic por Ib e obtemos: β = 721.13, este valor encontrado está próximo do valor limite máximo que β pode variar.

Por fim determinamos a potência dissipada do transistor no ponto de operação quiescente.

Pd = Ic x Vce = 6.62mA x 2.5V = 16.55mV

Conclusão:

Neste experimento observamos o comportamento do transistor na região de corte e de saturação.

Mais uma vez comprovamos a existência de erros de medição, pequenos erros é claro, no entanto erros que diferenciam uma simulação de uma montagem com instrumentos reais. O primeiro erro observado foi a tensão apresentada pelo display da fonte e a tensão medida através do voltímetro, como as devidas tensões a serem mensuradas seriam realizadas com o voltímetro, escolhemos este como equipamento de referência para diminuirmos os erros de valores medidos. A segunda causa de erros está relacionada a montagem dos circuitos e as características intrínsecas dos componentes por exemplo os transistores utilizados mesmo possuindo as mesmas especificações não são absolutamente iguais, mais um fonte de erros a ser observada foi a estrutura base aonde foi montado os circuitos, no caso as conexões na protoboard.

Considerando todas essas pequenas fontes de erros, observamos que os resultados obtidos estão acordo com os resultados teóricos esperados, isso quer dizer que o modelo apresentado para estudo é próximo do real.

Simulações

Porta NAND:

[pic 11][pic 12]

Porta NOR:

[pic 13][pic 14]

Transistor operando na região Linear:

[pic 15][pic 16]