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TESTE E IDENTIFIÇÃO DE TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR

Por:   •  18/1/2018  •  1.726 Palavras (7 Páginas)  •  439 Visualizações

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de tensão, corrente ou potência. E através da polarização do transistor, pode-se definir o como agir. Pois polarizar um transistor e fixar tensões e correntes adequadas, dentro de seus limites de operação. Em um transistor as correntes estão relacionadas entre si, sendo assim: IE = IB + IC.

4.1 TESTE DO TRANSISTOR COM O MULTÍMETRO

Realizando uma equivalência com diodos, pode-se testar um transistor bipolar e identificar seus terminais da mesma maneira como foi testado o diodo utilizando multímetro digital, pode-se testar o transistor, pois da base para o coletor ou da base para o emissor se enxerga um diodo PN.

Primeiramente foi identificado a polaridade do transistor e o terminal de base e depois os terminais de coletor e emissor. A localidade do emissor do transistor é mais dopada do que a região de coletor. E essa característica é utilizada para a identificação do emissor e do coletor, porque na tensão de condução do emissor é levemente superior à tensão de condução do coletor. Quando foi utilizado o multímetro analógico, a resistência entre base e emissor é menor que a resistência base coletor.

A resistência (R) foi medida em ambas as polarizações inversas, PNP e NPN. Com o fio vermelho conectado a base, e o fio preto conectado ao emissor, a PNP apresentou o seguinte valor: 802 Ω

Com o fio vermelho conectado a base, e o fio preto conectado ao coletor, a PNP apresentou o seguinte valor: 806 Ω

Já com o fio preto conectado a base, e o fio vermelho conectado ao emissor, a NPN apresentou o seguinte valor: 802 Ω

Quando conectamos o fio vermelho ao coletor, a NPN apresentou o seguinte valor: 810 Ω

O ganho de corrente foi medido através da intensidade do coletor sobre a intensidade da base.

Formula para o ganho de corrente.

A medição do ganho de transistor foi feita no Multímetro na região demarcada:

5. RESULTADOS E DISCUSSÃO

Os resultados encontrados foram satisfatórios já que o principal objetivo foi alcançado, a medição dos transistores junto ao multímetro digital e a melhor compreensão dos transistores bipolares PNP e NPN, notando-se que junção emissor-base do transistor pode ser polarizada diretamente. A tensão real entre o emissor e a base mostrou tensões baixas, overloque, ao mesmo tempo em que a tensão entre base e coletor fornece um valor bem mais elevado.

5.1 DIFICULDADE ENCONTRADAS

Durante a realização foram encontradas dificuldades mais técnicas, o multímetro digital por vezes não funcionou quando utilizado para a medição direta foi utilizado o multímetro do professor, a nossa estranheza de não ter ainda trabalhado com o equipamento e também tem o fato da sala estar muito cheia, isso ocasionou na dificuldade de o professor prestar assistência a todos.  

6. CONCLUSÃO

Após o experimento tivemos com transistor (BC547), notamos que ele é um componente que tem a finalidade de realizar a administração de correntes altas através da aplicação de uma corrente pequena em seu terminal central, a base. E que é um elemento essencial em circuitos.

E por meio do experimento realizado em sala, foi possível familiarizar-se com os transistores bipolares NPN e PNP, executando o teste de polarização com o multímetro. Foi examinada também a associação de ganho de corrente entre o coletor e base, pois quanto maior a tensão aplicada entre base e emissor, a tensão entre coletor e emissor diminui, proporcionando o controle da corrente no coletor. Com os resultados obtidos, foi possível compreender os conceitos fundamentais do transistor bipolar de junção.

7. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICAS

ELECTRONICA-PT. Díodo – Disponível em < http://www.electronica-pt.com/diodo > Acesso em março de 2016.

MUNDO EDUCAÇÃO. Transistores – Disponível em < http://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/transistor.htm > Acesso em março de 2016.

INSTITUTO NEWTON C. BRAGA. Transistores NPN e PNP - disponível em < http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/duvidas-dos-internautas/1120-transistores-npn-e-pnp-duv036.html > Acesso em março de 2016.

DATASHEET CATALOG. NPN silicon amplifier transistor – disponível em < http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC547.shtml > Acesso em março de 2016.

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