Modelagem a Resposta em Frequencia do MOSFET
Por: kamys17 • 6/2/2018 • 931 Palavras (4 Páginas) • 338 Visualizações
...
Frequência
[Hz]
Vo
[V]
Vi
[V]
Av
Av
[dB]
16
1,68
0,10
16,8
-2,87813
40
2,23
0,10
22,3
-0,41822
100
2,39
0,10
23,9
0,183641
200
2,39
0,10
23,9
0,183641
500
2,39
0,10
23,9
0,183641
700
2,39
0,10
23,9
0,183641
1 k
2,39
0,11
21,7
-0,64421
4 k
2,34
0,10
23,4
0
16 k
2,34
0,10
23,4
0
50 k
2,34
0,10
23,4
0
150 k
2,34
0,10
23,4
0
200 k
2,26
0,10
22,6
-0,30215
300 k
1,76
0,10
17,6
-2,47406
440 k
1,68
0,10
16,8
-2,87813
600 k
1,36
0,10
13,6
-4,71354
1 M
0,92
0,10
9,2
-8,10856
10 M
0,1
0,10
1
-27,3843
Discussão dos resultados obtidos no simulado com o do laboratório:
Ao simular o circuito no proteus ISIS obteve-se um ganho muito auto, da ordem de 42 na freqüência central de 1KHz, um ganho consideravelmente auto para um FET, e que foi muito estranhado pelo grupo de inicio, as freqüências de corte observadas na simulação foram de 7Hz para a inferior e 370KHz para a superior.
Com o circuito montado em laboratório na pratica observamos um ganho bem abaixo do ganho do simulador, um ganho de aproximadamente 23 em nas freqüências centrais, o que é mais próximo do valor de ganho esperado para um transistor FET, a freqüência de corte inferior foi de 16Hz, e a freqüência superior de 440KHz, valores que ficaram próximos das freqüências de corte obtidas na simulação.
Tabela 4: Frequências de corte da prática e simulado
prática
simulação
Freq. De corte inferior
16Hz
7Hz
Freq. De corte superior
440 kHz
370 kHz
Os valores DC de Vgs, Id, e Vds também não tiveram grandes divergências.
Tabela 5: Ponto de polarização da prática e simulado
prática
simulação
VGS
3,56 V
4,04 V
VDS
7,82 V
6,05 V
ID
10,24 mA
14,00mA
Porém o ganho variou bastante da simulação para a prática.
Tabela
...