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O Transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor

Por:   •  4/12/2018  •  771 Palavras (4 Páginas)  •  368 Visualizações

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Sua aplicação é vantajosa, pois o custo de fabricação é menor, ele gasta menos energia que as tecnologias antecessoras, apresenta menor tamanho, é mais leve, mais resistente, não necessita de filamento e possui menor tensão de alimentação, fatores esse que que tornaram as válvulas uma tecnologia obsoleta.

No transistor de junção bipolar ou TJB (BJT – Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor é feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada reversamente e a junção base-emissor é polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base é suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. Isso permite que o transistor funcione como amplificador pois ao se injetar uma pequena corrente na base se obtém uma alta tensão de saída. No entanto o transistor de silício só permite seu funcionamento com uma tensão entre base e emissor acima de 0,7V e 0,3V para o germânio.

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Análise dos dados e relatório técnico

Como qualquer outra experiência, o primeiro passo foi a regularização e calibração dos equipamentos. Foi medido os valores de tensão de cada terminal (base, emissor e coletor) dos transistores e o Varivolt foi regulado em 11V AC. Subsequente a calibração foi montado um detetor. Este circuito tem a função de amplificar a corrente de entrada em relação a saída.

[pic 1]

Simulação no Multsin

[pic 2]

Montagem na Protoboard

Após isso, foi montado um circuito temporizador. Este circuito é montado com dois LED’s, que ficam ligando e desligando, com o transistor tendo a função de chavear.

[pic 3]

Simulação no Matlab

[pic 4]

Simulação na Protoboard

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RESULTADOS E DISCUSSÕES

5.1 Circuito emissor comum

O circuito emissor tem a função de chavear o LED dependendo da aplicação de tensão sobre os terminais. Abaixo as tensões medidas entre os terminais do transistor:

Vce=0,086V

Vbe=0,605V

Vbc=0,531V

Vbe-Vce-Vbc=0,012V

Subtraindo a tensão entre a base e emissor com a soma das tensões entre coletor e emissor e entre base e coletor resulta no valor 0,012V.

Correntes:

Ib (Corrente na base) = (Vcc-0,7)/Rb = 24,02

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